Quy trình sản xuất tấm pin mặt trời

Mô tả quy trình sản xuất pin mặt trời cụ thể

(1) Cắt lát: Sử dụng phương pháp cắt nhiều đường, thanh silicon được cắt thành các tấm silicon hình vuông.

(2) Làm sạch: Sử dụng các phương pháp làm sạch tấm silicon thông thường để làm sạch, sau đó sử dụng dung dịch axit (hoặc kiềm) để loại bỏ 30-50 um lớp hư hỏng trên bề mặt của tấm silicon.

(3) Chuẩn bị da lộn: Quá trình ăn mòn không đẳng hướng được thực hiện trên tấm silicon bằng dung dịch kiềm để chuẩn bị da lộn trên bề mặt của tấm silicon.

(4) Khuếch tán phốt pho: sử dụng nguồn phủ (hoặc nguồn chất lỏng, hoặc nguồn vảy phốt pho nitrua rắn) để khuếch tán tạo thành tiếp giáp PN cộng và chiều sâu tiếp giáp nói chung là 0. 3-0 .5um.

(5) Khắc ngoại vi: Lớp khuếch tán được hình thành trên bề mặt ngoại vi của tấm silicon trong quá trình khuếch tán sẽ làm ngắn mạch các điện cực trên và dưới của pin, và lớp khuếch tán ngoại vi được loại bỏ bằng cách che dấu khắc ướt hoặc khắc khô plasma.

(6) Loại bỏ điểm nối PN cộng mặt sau. Mặt sau PN plus tiếp giáp thường được loại bỏ bằng cách khắc hoặc mài ướt.

(7) Chế tạo các điện cực trên và dưới: sử dụng bay hơi chân không, mạ niken không điện hoặc in và nung kết nhôm. Điện cực dưới được chế tạo đầu tiên, tiếp theo là điện cực trên. In nhôm dán là một phương pháp quá trình được sử dụng rộng rãi.

(8) Sản xuất phim chống phản xạ: Để giảm sự suy giảm phản xạ, nên phủ một lớp phim chống phản xạ trên bề mặt của tấm silicon. Vật liệu để làm màng chống phản xạ là MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, ... Phương pháp xử lý có thể là phương pháp phủ chân không, phương pháp phủ ion, phương pháp phún xạ, phương pháp in, phương pháp PECVD hoặc phương pháp phun .

(9) Thiêu kết: Thiêu kết chip pin trên tấm đế bằng niken hoặc đồng.

(10) Phân loại thử nghiệm: theo các thông số kỹ thuật quy định, phân loại thử nghiệm.