Hiệu quả sản xuất điện của các tấm pin mặt trời

Hiệu suất chuyển đổi quang điện của năng lượng mặt trời silicon đơn tinh thể lên đến 24 phần trăm, đây là hiệu suất chuyển đổi quang điện cao nhất trong số tất cả các loại pin mặt trời. Nhưng pin mặt trời silicon đơn tinh thể rất đắt tiền nên chúng vẫn chưa được sử dụng rộng rãi và phổ biến với số lượng lớn. Pin mặt trời silicon đa tinh thể rẻ hơn pin mặt trời silicon đơn tinh thể về chi phí sản xuất, nhưng hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời silicon đa tinh thể thấp hơn nhiều. Ngoài ra, tuổi thọ của pin mặt trời silicon đa tinh thể cũng ngắn hơn so với pin mặt trời silicon đơn tinh thể. . Do đó, về hiệu suất chi phí, pin mặt trời silicon đơn tinh thể tốt hơn một chút.

Các nhà nghiên cứu đã phát hiện ra rằng một số vật liệu bán dẫn hợp chất thích hợp cho các màng chuyển đổi quang điện mặt trời. Ví dụ, CdS, CdTe; Chất bán dẫn hợp chất III-V: GaAs, AIPInP, v.v.; pin mặt trời màng mỏng làm bằng các chất bán dẫn này cho thấy hiệu suất chuyển đổi quang điện tốt. Vật liệu bán dẫn có nhiều khoảng trống dải năng lượng gradient có thể mở rộng dải phổ hấp thụ năng lượng mặt trời, do đó cải thiện hiệu suất chuyển đổi quang điện. Vì vậy, một số lượng lớn các ứng dụng thực tế của pin mặt trời màng mỏng cho thấy triển vọng rộng lớn. Trong số các vật liệu bán dẫn đa thành phần này, Cu (In, Ga) Se2 là vật liệu hấp thụ ánh sáng mặt trời tuyệt vời. Dựa trên cơ sở đó, có thể thiết kế các tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng với hiệu suất chuyển đổi quang điện cao hơn đáng kể so với silicon và tỷ lệ chuyển đổi quang điện có thể đạt được là 18%.