Một đặc điểm . của quy trình sản xuất
1. Quá trình nhiệt độ thấp
Nhiệt độ lắng đọng của silicon vô định hình nhỏ hơn 200 độ, làm giảm mức tiêu thụ năng lượng và ứng suất nhiệt, và các tấm silicon siêu mỏng (như dưới 100μm) có thể được sử dụng .}}}}}}}}}}}}}
2. Thiết bị chính
PECVD: Nó được sử dụng để gửi các lớp silicon vô định hình và yêu cầu tính đồng nhất cao .
PVD/RPD: Để chuẩn bị màng TCO, RPD (lắng đọng chùm ion) có thể giảm thiệt hại và tăng cường độ dẫn .
3. xu hướng không có bạc
Thay thế bột bạc trong in màn hình bằng công nghệ đồng mạ vàng hoặc đồng để giảm chi phí .
B . Ứng dụng thị trường
Nó chủ yếu thâm nhập vào các mô-đun công suất cao (700W+) và các trạm năng lượng phân tán cao cấp . Công suất sản xuất toàn cầu là khoảng 30GW vào năm 2023 và dự kiến sẽ chiếm hơn 15% bởi 2025.
C . Hướng phát triển trong tương lai
1. công nghệ xếp chồng
Kết hợp với perovskite (HJT-Perovskite Tandem), hiệu quả lý thuyết có thể vượt quá 30%.
2. Đổi mới thiết bị và vật liệu
Tăng tốc độ lắng đọng PECVD và phát triển các vật liệu thay thế chi phí thấp cho TCO .}
3. Hiệu ứng tỷ lệ
Sau khi mở rộng năng lực sản xuất, chi phí dự kiến sẽ ngang bằng với PERC, thúc đẩy phổ biến thị trường .
Qinhuangdao Shuogu Photovoltaic Science & Technology Co ., Ltd ., là một nhà sản xuất chuyên nghiệp của máy sản xuất năng lượng mặt trời với hơn 10 năm máy, thiết bị phụ trợ bán tự động thủ công .
Nếu bạn muốn biết thêm thông tin về sản phẩm của chúng tôi hoặc công ty của chúng tôi, vui lòng liên hệ với chúng tôi .
